【48812】磁集成技能在不对称半桥倍流整流变换器中的运用
时间: 2024-06-02 14:53:31 | 作者: CAN接口
跟着通讯设备、计算机时钟频率的逐渐的进步,对低压/大电流输出的电源要求渐渐的升高。要进步功率密度,就必须减小体积,下降损耗。人们一般会用进步频率的办法来取得小型化,但遭到磁件特性的约束,高频化的办法有必定的局限性:一方面,频率的进步会遭到整机功率的约束;另一方面,频率的进步会带来磁芯损耗的敏捷加大,为了减小磁芯损耗,磁芯高频作业时一般要降额运用,磁芯利用率下降,约束了磁件体积的减小。为进一步减小磁件的体积和损耗,一起确保
过夜减小磁件的体积、分量和损耗,减小电流纹波,官僚滤波作用,对进步电源的性能及功率密度有重要意义。
在研讨电路拓扑时,不只要从电路拓扑方面考虑问题,还需要注意将电路拓扑计划与磁件的即日集成计划归纳在一起研讨,到达电路结构与磁件结构的最佳组合。
不对称半桥( Asymmetrical Half Bridge , Asym . HB )
( Current Doubler Rectifier , CDR )变换器电路如图1所示。挑选这种电路结构是因为它简略、高效,而且CDR对减小变压器的二次绕组的损耗有利。图1电路中有三个分立磁件(Discrete Magnetics , DM),变压器T,电感LO1 和LO2 ,本文主要是运用磁集成技能将这三个磁件集成在一起,然后减小磁件损耗、体积。DM集成后的磁件被称为集成磁件(Integrated Magnetics , IM )。
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