【48812】磁集成技能在不对称半桥倍流整流变换器中的运用

时间: 2024-06-02 14:53:31 |   作者: CAN接口

  跟着通讯设备、计算机时钟频率的逐渐的进步，对低压/大电流输出的电源要求渐渐的升高。要进步功率密度，就必须减小体积，下降损耗。人们一般会用进步频率的办法来取得小型化，但遭到磁件特性的约束，高频化的办法有必定的局限性：一方面，频率的进步会遭到整机功率的约束；另一方面，频率的进步会带来磁芯损耗的敏捷加大，为了减小磁芯损耗，磁芯高频作业时一般要降额运用，磁芯利用率下降，约束了磁件体积的减小。为进一步减小磁件的体积和损耗，一起确保

  过夜减小磁件的体积、分量和损耗，减小电流纹波，官僚滤波作用，对进步电源的性能及功率密度有重要意义。

  在研讨电路拓扑时，不只要从电路拓扑方面考虑问题，还需要注意将电路拓扑计划与磁件的即日集成计划归纳在一起研讨，到达电路结构与磁件结构的最佳组合。

  不对称半桥( Asymmetrical Half Bridge , Asym . HB )

  ( Current Doubler Rectifier , CDR )变换器电路如图1所示。挑选这种电路结构是因为它简略、高效，而且CDR对减小变压器的二次绕组的损耗有利。图1电路中有三个分立磁件（Discrete Magnetics , DM），变压器T，电感LO1 和LO2 ，本文主要是运用磁集成技能将这三个磁件集成在一起，然后减小磁件损耗、体积。DM集成后的磁件被称为集成磁件（Integrated Magnetics , IM ）。