RCD吸收电路的影响和规划办法（定性分析）

时间: 2024-12-02 21:28:21 |   作者: 乐鱼登录入口登录

  电容端电压上升很慢，因而导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递进程较慢，适当一部分初级励磁电感能量耗费在RC电路上 。

  电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因而次级不能导通，导致初级能量悉数耗费在RCD电路中的电阻上，因而次级电压下降后达到新的平衡，理论核算无效了，输出电压下降。

  电压上冲后，电容上贮存的能量很小，因而电压十分快下降至次级反射电压，电阻将耗费初级励磁电感能量，直至mos管注册后，电阻才缓慢开释电容能量，因为RC较小，因而或许会呈现震动，就像没有加RCD电路相同。

  假如参数挑选合理，mos管注册前，电容上的电压挨近次级反射电压，此刻电容能量泄放结束，缺陷是此刻电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大

  在上面的情况下，加大电容，可以更好的下降电压峰值，调理电阻后，使mos管注册之前，电容一直在开释能量，与上面的最大不同，仍是在于让电容一直存有必定的能量。